SK海力士表示，作为AI存储芯片领域的领导者，现与全球顶级晶圆代工企业台积电携手合作，引领未来HBM技术创新。通过构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储芯片厂三方技术合作的方式，SK海力士有望实现存储芯片产品性能的全新突破。
两家企业计划首先致力于HBM封装内最底层基础裸片（Base Die）的性能改善。HBM是把多个DRAM裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过硅通孔（TSV）技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，对HBM起到控制作用。
包括HBM3E（第五代HBM）在内，SK海力士以往的HBM产品都是基于公司自身制程工艺制造基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑（Logic）工艺。在基础裸片采用超细微工艺可以为芯片增添更多功能，SK海力士计划借此生产在性能与功效方面更优化的客户定制化HBM产品。
与此同时，双方还计划合作优化SK海力士的HBM产品与台积电的基板上晶圆芯片（CoWoS）技术融合，共同应对HBM相关客户需求。
SK海力士社长金柱善表示，通过与台积电的合作，SK海力士不仅可以开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作。未来SK海力士将提升客户定制化存储芯片平台的竞争力，进一步巩固AI存储芯片全方位供应商的地位。
台积电业务开发资深副总经理张晓强表示，多年来台积电与SK海力士已经建立稳固的合作伙伴关系，此次合作将融合最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供全球领先的AI解决方案，在HBM4上将通过密切合作，为客户的AI创新提供关键的一体化产品。
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