美国围剿“中国芯”升级 三星SK喜忧参半

据市场研究机构集邦咨询20日消息，当地时间16日，美国商务部将中国存储芯片制造商长江存储科技有限责任公司（YMTC）等36家中国科技企业列入贸易实体清单（entity list），对中国芯片行业的打击力度升级。各方预测，长江存储可能在2024年后退出3D NAND市场竞争。

这对于在中美之间“夹缝”生存的韩国芯片制造商来说是可以守住市场份额的利好消息，但也有意见认为，美国对华制裁政策将影响到韩企在中国国内的生产工厂，有必要提前制定对策。

长江存储于2016年在湖北省武汉市成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片的制造商，也是中国存储芯片行业的龙头企业。2020年之前在全球市场所占份额还不到1%，但今年第2季度已提高至3.4%。尤其是前不久，长江存储击败美光科技、三星电子、SK海力士、铠侠电子等全球存储芯片行业的“资深玩家”，率先实现了200层以上的3D NAND生产。据加拿大芯片分析机构Tech Insights的报告，长江存储的232层NAND已搭载杭州海康威视的闪存芯片CC700 2TB SSD上。

今年7月和8月，美光科技和SK海力士先后宣布成功研发232层和238层的NAND闪存，三星电子也于日前开始量产236层的第8代V-NAND闪存。长江存储此前因128层NAND闪存良率较低而被质疑技术水平，但此次在短时间内率先试产首批232层NAND闪存，令业内刮目相看。

但长江存储被列入美国商务部贸易黑名单后，任何向其提供美国技术的公司或个人都需经过美国政府的批准，长江存储将很难继续从美方合作伙伴处获得设备零件和技术支援，这将直接影响到芯片的良率。集邦咨询日前将长江存储明年的位元成长率（Bit Growth）预测值从原先的60%大幅下调至7%。

集邦咨询称，长江存储因技术停滞将重挫竞争力，市场份额将被其他品牌侵蚀，存储芯片业务恐将缩小至仅限中国市场，或退回生产2D闪存芯片，失去扩大市场份额的机会。

长江存储的未来前景蒙上阴影，或令三星电子和SK海力士坐收“渔翁之利”。全球NAND闪存市场因需求不振和库存过剩，正遭遇比DRAM更严酷的“寒冬”，借此机会NAND闪存市场供需或趋于稳定，也为三星电子和SK海力士争取到更多与竞争对手拉开差距的时间。

由于三星电子和SK海力士在中国西安、无锡和大连建有工厂，美国扩大对华商业出口禁令可能将成为影响生产的变数。今年10月，美国商务部公布的出口管制措施禁止美国企业向中国芯片生产商出口相关设备，但考虑到或“误伤”在华外企，三星电子、SK海力士和台积电获得为期一年的豁免。

业内人士指出，虽然三星和SK获得美方豁免，可在未来一年继续对华出口芯片生产设备，但这仅仅只是“缓期”。今后若想继续在中国生产芯片必须保证最新设备和零部件的供应顺畅，应与美国政府持续协商寻求解决方案。