据三星电子30日消息，三星电子平泽工厂第二生产线正式开工，首发量产产品为采用了极紫外光刻（EUV）制程的第三代10nm（1z）16GB LPDDR5移动DRAM。
据悉，三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米（相当于16个足球场），是全球最大规模的半导体生产线。平泽第二生产线在实现DRAM量产后，将计划生产新一代VNAND、超精细晶圆代工产品等。
平泽工厂第二生产线本次投放的第三代10nm（1z）16GB LPDDR5移动DRAM的性能超过以往任何一款产品。三星在今年2月推出了第二代10纳米级（1y）制程，实现了 16GB LPDDR5 DRAM的量产，短短六个月后便再次升级，生产出新一代1z制程的高新移动DRAM。新产品较原有旗舰智能手机使用的12GB移动DRAM（LPDDR5，速率5500Mb/s）提速16%，达到6400Mb/s。以16GB产品为准，每秒可处理51.2GB的数据，相当于10部全高清（Full HD）电影。
16GB LPDDR5移动DRAM作为可以仅由8个芯片构成的16GB产品，较先前产品（8个12GB芯片加4个8GB芯片）在封装厚度上减少30%。从而为多摄像头、5G等零部件较多的智能手机，以及折叠屏手机等对厚度有较高要求的产品提供最佳解决方案。
三星作为向全球智能手机企业提供新一代1z纳米16GB移动DRAM的生产商，计划抢占明年兼具5G通信和AI功能的旗舰智能手机新市场。同时三星电子计划提供耐高温性能的产品，有望将供货范围进一步扩大到汽车电装用途。
三星电子存储器事业部DRAM开发室副总裁李祯培表示，这次推出的1z纳米16GB LPDDR5产品克服了史上最难攻克的技术性难关，创造了产品的新典范，突破精细制程的最高界限，未来三星电子的高新DRAM生产线将继续升级，更迅速地应对顾客需求，助力存储器市场的扩大。
另外，为满足以EUV为基础的尖端产品和VNAND需求上涨，三星电子平泽工厂第二生产线的晶圆代工生产线和闪存（NAND Flash）生产线分别于5、6月开工，两条生产线均将于2021年下半年正式投入量产。据了解，平泽第二生产线是三星电子于2018年8月公布的“180万亿韩元、4万人就业”规划中的一项，共获得30万亿韩元以上的大规模投资。
据悉，三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米（相当于16个足球场），是全球最大规模的半导体生产线。平泽第二生产线在实现DRAM量产后，将计划生产新一代VNAND、超精细晶圆代工产品等。
平泽工厂第二生产线本次投放的第三代10nm（1z）16GB LPDDR5移动DRAM的性能超过以往任何一款产品。三星在今年2月推出了第二代10纳米级（1y）制程，实现了 16GB LPDDR5 DRAM的量产，短短六个月后便再次升级，生产出新一代1z制程的高新移动DRAM。新产品较原有旗舰智能手机使用的12GB移动DRAM（LPDDR5，速率5500Mb/s）提速16%，达到6400Mb/s。以16GB产品为准，每秒可处理51.2GB的数据，相当于10部全高清（Full HD）电影。
16GB LPDDR5移动DRAM作为可以仅由8个芯片构成的16GB产品，较先前产品（8个12GB芯片加4个8GB芯片）在封装厚度上减少30%。从而为多摄像头、5G等零部件较多的智能手机，以及折叠屏手机等对厚度有较高要求的产品提供最佳解决方案。
三星作为向全球智能手机企业提供新一代1z纳米16GB移动DRAM的生产商，计划抢占明年兼具5G通信和AI功能的旗舰智能手机新市场。同时三星电子计划提供耐高温性能的产品，有望将供货范围进一步扩大到汽车电装用途。
三星电子存储器事业部DRAM开发室副总裁李祯培表示，这次推出的1z纳米16GB LPDDR5产品克服了史上最难攻克的技术性难关，创造了产品的新典范，突破精细制程的最高界限，未来三星电子的高新DRAM生产线将继续升级，更迅速地应对顾客需求，助力存储器市场的扩大。
另外，为满足以EUV为基础的尖端产品和VNAND需求上涨，三星电子平泽工厂第二生产线的晶圆代工生产线和闪存（NAND Flash）生产线分别于5、6月开工，两条生产线均将于2021年下半年正式投入量产。据了解，平泽第二生产线是三星电子于2018年8月公布的“180万亿韩元、4万人就业”规划中的一项，共获得30万亿韩元以上的大规模投资。
三星电子平泽工厂 【图片提供 韩联社】
