数据显示，在DRAM领域，三星电子、SK海力士以及美光等三大公司在市场占据垄断地位，其中韩国公司的市场占有率接近74%。由于生产DRAM需要数十万亿韩元的大规模投资，因而生产门槛相对较高。报告表示，中国于2019年开始量产第一代10纳米DRAM，而韩国则将于2021年开始量产第四代DRAM。韩国计划在下一代DRAM中使用EUV（极紫外线）光刻技术，由于设备的价格较高及供给能力有限，预计韩国会长期在此领域保持一定领先地位。据了解，以晶圆投入为基准，今年第二季度中国长鑫内存(CXMT)的生产能力约为韩国企业的4%，而另一家中国存储器企业长江存储（YMTC）于2019年进军DRAM市场，预计将从2022年起开始投入量产。
韩国进出口银行指出，在NAND闪存市场，韩中间的技术差距在2年以上。不过，与基本被垄断的DRAM市场不同，目前三星电子、铠侠(Kioxia)、西部数据、美光、SK海力士以及因特尔等企业在NAND闪存市场展开激烈竞争。韩国于2019年开始量产128层3D NAND闪存产品，中国YMTC公司则正在准备推进今年年底开始批量生产同一产品。不过由于该产品收益率不高，中国企业要保持稳定生产仍需一定时间。分析指出，YMTC的设备投资有望从2020年的39亿美元扩大至2021年的65亿美元，投资金额增加一倍左右。如果能保持收益率稳定，并扩大生产，从中长期角度来看，中国或将在NAND闪存市场保有一定占有率。
报告表示，除存储器外，在系统半导体领域，韩国率先占领半导体纯晶圆代工(Foundry)市场，而中国在IC设计公司（Fabless）市场占据优势。韩国进出口银行认为，中国的工艺技术虽然较韩国落后一定时间，但以内需和价格竞争力为基础，其技术正在不断稳步提高。
三星电子【图片提供 韩联社】
