继2017年11月第二代10纳米等级(1z)DRAM投入量产后,三星时隔16个月就成功开发第三代产品,不仅成功拉开与竞争对手的距离,也再次确立业界领军者的地位。
第三代10纳米等级(1z)8Gb DDR4 DRAM在不使用极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,常称作EUV光刻)的情况下,依然可以比第二代10纳米等级DRAM提高20%的生产性。同时,产能的提高也使得用电效率得到改善。
三星电子强调,第三代10纳米等级(1z)DRAM为基础的PC用DDR4模块,在全球CPU企业的所有评价项目上都得到了批准,从而全面扩大全球IT顾客的需求。三星电子还表示计划在今年下半年正式批量生产该产品,并在明年正式供应同时提高性能和容量的DDR5、LPDDR5等新一代DRAM。
三星电子相关人士称,第三代10纳米等级(1z)DRAM的开发将微细加工技术极限提升到新境界,与全球主要客户从系统开发阶段开始积极合作,以新一代生产线快速进入市场转换。按照客户要求,三星电子在京畿道平泽扩大DRAM最新生产线和生产比重。为应对明年市场对新一代优质DRAM的需求扩大,三星正积极构建稳定的量产生产线体系。